[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
| 申请号： | 201910648994.0 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110335880A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 方欣欣;夏春秋;北村阳介;方明旭 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：像素；以及位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离结构 图像传感器 成像装置 辐射反射 辐射能量 相邻像素 外部 入射 像素 制造 辐射 配置 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：像素；以及位于相邻像素之间的隔离结构，所述隔离结构被配置成将从所述隔离结构的外部入射到所述隔离结构的辐射中的超过50％的辐射能量的辐射反射到所述隔离结构的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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