[发明专利]制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体用于定量校准物质的方法有效

专利信息
申请号: 201910645710.2 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN110184648B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 孙益坚;柯于球;马浩帮;王伟林;杨健;邓俊 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/32
代理公司: 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 代理人: 曾芳琴
地址: 341000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体将其用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质的方法,具体为先配制Na2CO3、Y2O3、WO3和其他稀土氧化物粉末混合物,然后加入无水乙醇后将原料充分研磨,之后将原料转移到坩埚中,置于马弗炉中高温烧结,进行高温固相反应,最后在微下拉晶体生长炉中完成晶体生长,得到稀土掺杂钨酸钇钠晶体。本发明所得晶体材料致密性良好,色泽透明,无色差,掺杂的稀土元素分布均一性良好,可以作为稀土掺杂激光晶体材料的LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质。
搜索关键词: 制备 稀土 掺杂 钨酸钇钠 晶体 用于 定量 校准 物质 方法
【主权项】:
1.一种制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体将其用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配制Na2CO3、Y2O3、WO3和除钇外的其他稀土氧化物粉末混合物,置于研钵中,加入无水乙醇后将粉末混合物充分研磨;(2)将步骤(1)所得粉末样品转移至坩埚内,放入马弗炉煅烧,以5~10℃/min的升温速率从室温升温至600~800℃,恒温预设时间;再以相同的速率升温至1000~1200℃,恒温12~24小时完成高温固相反应,最后冷却至室温;(3)将步骤(2)煅烧好的样品转移到微下拉晶体生长炉的坩埚中,通过装炉、升温、引晶、等径生长、拉脱、降温步骤完成晶体生长,得到稀土掺杂钨酸钇钠晶体,用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质。
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