[发明专利]制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体用于定量校准物质的方法有效
申请号: | 201910645710.2 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110184648B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 孙益坚;柯于球;马浩帮;王伟林;杨健;邓俊 | 申请(专利权)人: | 江西理工大学 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20;C30B29/32 |
代理公司: | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 曾芳琴 |
地址: | 341000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: |
本发明公开了一种制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体将其用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质的方法,具体为先配制Na |
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搜索关键词: | 制备 稀土 掺杂 钨酸钇钠 晶体 用于 定量 校准 物质 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备稀土掺杂钨酸钇钠晶体将其用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)配制Na2CO3、Y2O3、WO3和除钇外的其他稀土氧化物粉末混合物,置于研钵中,加入无水乙醇后将粉末混合物充分研磨;(2)将步骤(1)所得粉末样品转移至坩埚内,放入马弗炉煅烧,以5~10℃/min的升温速率从室温升温至600~800℃,恒温预设时间;再以相同的速率升温至1000~1200℃,恒温12~24小时完成高温固相反应,最后冷却至室温;(3)将步骤(2)煅烧好的样品转移到微下拉晶体生长炉的坩埚中,通过装炉、升温、引晶、等径生长、拉脱、降温步骤完成晶体生长,得到稀土掺杂钨酸钇钠晶体,用于激光晶体LA‑ICP‑MS微区分析定量校准物质。
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