[发明专利]晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法有效
| 申请号： | 201910642140.1 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110379767B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 许嗣拓;刘孟彬;狄云翔 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆级封装芯片通孔互连的方法以及芯片的测试方法，所述晶圆级封装芯片通孔互连的方法包括：提供第一芯片；在所述第一芯片上形成有具有第一开口的钝化层，以露出所述第一芯片上的第一焊垫；在所述第一芯片上涂覆聚合物层并固化所述聚合物层，以填充所述第一开口；提供器件晶圆，将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上；蚀刻所述器件晶圆和所述聚合物层，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫；在所述第一通孔中形成插塞以与所述第一焊垫电连接。所述方法可防止在蚀刻后由于气泡而产生底切(under cut)，避免了导电材料沉积以及金属连接不上的问题，进一步提高了封装的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 芯片 互连 方法 以及 测试 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级封装芯片通孔互连的方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一芯片；在所述第一芯片上形成有具有第一开口的钝化层，以露出所述第一芯片上的第一焊垫；在所述第一芯片上涂覆聚合物层并固化所述聚合物层，以填充所述第一开口；提供器件晶圆，将形成了聚合物层的所述第一芯片接合在所述器件晶圆上；蚀刻所述器件晶圆和所述聚合物层，以形成第一通孔，露出所述第一焊垫；在所述第一通孔中形成插塞以与所述第一焊垫电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910642140.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
