[发明专利]SRAM电路及其操作方法有效
| 申请号： | 201910639832.0 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729007B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;戴承隽;林志宇;陈炎辉;野口纮希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/412;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 静态随机存取存储器(SRAM)电路可以将存储器阵列中的列位线分组为位线的子集，并且为位线的每个子集提供y地址信号输入。额外地或可选地，存储器单元的阵列中的每行可操作地连接到多条字线。本发明的实施例还涉及SRAM电路的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | sram 电路 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括：/n存储器阵列中的存储器单元的行，所述行包括多个存储器单元；/n第一字线，可操作地连接到所述多个存储器单元中的存储器单元的第一子集；以及/n第二字线，可操作地连接到所述多个存储器单元中的不同存储器单元的第二子集。/n
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