[发明专利]QLED显示屏及制备方法

摘要

本发明提供了一种QLED显示屏及制备方法。所述QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在基板上的TFT阵列、以及覆盖TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，TFT阵列包括漏极，钝化层/平坦层在漏极上设置有坑位，坑位露出部分或全部漏极；像素界定层在坑位上方对应设置有子像素，且子像素的开口大于坑位的开口；QLED设置在子像素中，QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且阳极的聚合物材料填充坑位使得阳极与漏极相连。

主权项

1.一种QLED显示屏，包括TFT背板、像素界定层和QLED，所述TFT背板包括基板、设置在所述基板上的TFT阵列、以及覆盖所述TFT阵列的钝化层/平坦层，其中，所述TFT阵列包括漏极，其特征在于，所述钝化层/平坦层在所述漏极上设置有坑位，所述坑位露出部分或全部所述漏极；所述像素界定层在所述坑位上方对应设置有子像素，且所述子像素的开口大于所述坑位的开口；所述QLED设置在所述子像素中，所述QLED包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，所述阳极的材料为电导率＞0.1S的聚合物，所述阴极的材料为微米或纳米级导电材料胶浆，且所述阳极的聚合物材料填充所述坑位使得所述阳极与所述漏极相连。