[发明专利]一种纳米晶碳化硅陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201910628428.3 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110317064A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘荣正;赵健;刘马林;常家兴;邵友林;刘兵 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米晶碳化硅陶瓷的制备方法，包括，制备烧结助剂包覆碳化硅的核壳结构纳米颗粒，并对所述核壳结构纳米颗粒进行预处理得到碳化硅陶瓷粉体，随后将碳化硅陶瓷粉体进行高温烧结即得纳米晶碳化硅陶瓷。本发明通过将烧结助剂包覆在碳化硅表面形成核壳结构纳米颗粒，并通过热压烧结和放电等离子烧结制备纳米晶碳化硅陶瓷，烧结温度和压力低，烧结制得的碳化硅陶瓷致密度和机械强度高，晶粒尺寸小于300nm；本发明采用原位气相沉积法制备核壳结构纳米颗粒，其分散性好，粒径为10‑30nm，且烧结助剂壳层厚度小于4nm；其工艺流程简单，成本低，可连续生产，制备得到的碳化硅陶瓷的纯度高，性能优良，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅陶瓷 制备 核壳结构 纳米颗粒 纳米晶 烧结助剂 烧结 包覆 粉体 放电等离子烧结 预处理 碳化硅表面 分散性好 高温烧结 气相沉积 热压烧结 晶粒 工艺流程 碳化硅 壳层 粒径 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括，将烧结助剂包覆在碳化硅表面形成核壳结构纳米颗粒，随后对所述核壳结构纳米颗粒进行预处理后再高温烧结即得纳米晶碳化硅陶瓷。
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