[发明专利]基于铁电晶体管的非易失存储器有效
| 申请号： | 201910626112.0 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110415744B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李学清;吴珏键;李旻谚;刘勇攀;杨华中 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一类基于铁电晶体管的非易失存储器，包括基于铁电晶体管设计的非易失存储器的单元电路和阵列电路，其单元电路结构包括两个晶体管或三个晶体管，多个单元之间通过电气连接的方式可组合成若干行若干列的阵列布局方式。本发明利用铁电晶体管漏源电流‑栅极电压的滞回特性，完成对存储器的高效率读写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶体管 非易失 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种基于铁电晶体管设计的电路单元，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、位线、第一字线与第二字线，其中，所述第一晶体管的栅极与所述第一字线相连，所述第一晶体管的漏极与所述位线相连，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极相连，所述第二晶体管的栅极与所述第二字线相连，所述第二晶体管的源极接地或者偏置在预设电位，且第一晶体管和第二晶体管中至少有一个晶体管是铁电晶体管。
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