[发明专利]二氧化钛基气体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910623130.3 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110174442A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 潘明强;盛军;刘吉柱;王阳俊;涂明会 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/12;C25D11/26;C25D5/02;B22F3/22 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215006 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化钛基气体传感器及其制备方法，该制备方法基于微弧氧化技术，优化了传统二氧化钛基气体传感器的制备方法，不需要采用单独工艺方法在半导体气体传感器上制作叉指电极，将半导体气体传感器的制作过程集成化，降低了气体传感器的制备成本，增强了二氧化钛基气体传感器的气敏特性，可广泛应用于二氧化钛基气体传感器的制备。所制备得到的二氧化钛基气体传感器采用二氧化钛作为气敏层，具有多孔洞，并在其上设置叉指电极层，其气敏层具有大比表面积，为气体提供更多的吸附位点和反应通道。且为其他材料的掺入创造了条件。且叉指电极与气敏层充分接触，具有优良综合检测性能。 | ||
| 搜索关键词： | 气体传感器 二氧化钛基 制备 叉指电极 气敏层 半导体气体传感器 充分接触 单独工艺 二氧化钛 反应通道 其他材料 气敏特性 气体提供 微弧氧化 制作过程 综合检测 多孔洞 集成化 掺入 位点 吸附 制作 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化钛基气体传感器，其特征在于，包括依次设置的二氧化钛气敏层、叉指电极层、绝缘层以及加热电极。
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