[发明专利]一种量子点近红外光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201910613735.4 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110311007B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 宁志军;周文佳;尚跃群 | 申请(专利权)人: | 上海科技大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 程琼胤 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种量子点近红外光电探测器件,包括导电基底层(1),其特征在于,导电基底层(1)的上方由下至上依次设置有第一电子传输层(2),金属纳米颗粒层(3),第二电子传输层(4),红外量子点层(5),金属电极(6)。所述的量子点近红外光电探测器的制备方法,包括对导电基底层进行氧等离子体处理,制备复合电子传输层,制备量子点红外吸收层,蒸镀金属电极。所述的量子点红外光电探测器同时具有量子效率高(8000%)、暗电流低,响应速度快的优点,在近红外光点探测领域有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 红外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种量子点近红外光电探测器件,包括导电基底层(1),其特征在于,导电基底层(1)的上方由下至上依次设置有第一电子传输层(2),金属纳米颗粒层(3),第二电子传输层(4),红外量子点层(5),金属电极(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海科技大学,未经上海科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910613735.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的