[发明专利]可变电阻式存储器装置在审
| 申请号： | 201910604163.3 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110828368A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 金秉柱;高永珉;金钟旭;朴洸珉;朴正熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种可变电阻式存储器装置，包括：第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；第二电极线层，位于第一电极线层上方，并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和存储器单元层，包括位于第一电极线层和第二电极线层之间的存储器单元。存储器单元的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层。第一绝缘层位于第一电极线之间，第二绝缘层位于存储器单元之间，第三绝缘层位于第二电极线之间。第二绝缘层包括在存储器单元的侧表面上的气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
