[发明专利]一种用于IGBT单元的击穿检测方法有效
| 申请号： | 201910601552.0 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110244210B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 谢美珍;郑昕斌 | 申请（专利权）人： | 福州丹诺西诚电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT击穿检测技术领域，特别涉及一种用于IGBT单元的击穿检测方法，通过获取处于工作状态的IGBT单元在一个周期内的电流变化次数，将获取到的电流变化次数与预设的基础电流变化次数作比较，通过判断获取到的电流变化次数与预设的基础电流变化次数是否一样来判定处于工作状态的IGBT单元是否有击穿，能够快速检测到IGBT单元的高边驱动的击穿情况，能够在300ms内检测到IGBT单元的高边驱动击穿的情况；而且无需进行工作状态切换和驱动方式切换，提高击穿检测的效率且功率的稳定性能高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 igbt 单元 击穿 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于IGBT单元的击穿检测方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、预设基础电流变化次数；S2、获取处于工作状态的IGBT单元在一个周期内的电流变化次数；S3、判断处于工作状态的IGBT单元在一个周期内的电流变化次数是否等于所述基础电流变化次数；S4、若否，则判定处于工作状态的IGBT单元有击穿。
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