[发明专利]一种Pr掺杂In2O3纳米气敏材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种Pr掺杂In₂O₃纳米气敏材料的制备方法，属于半导体氧化物气体传感器技术领域。采用溶剂热法，以氨水、乙醇为溶剂，以一定比率的铟源和镨源制备成Pr掺杂的In₂O₃纳米粒子，尺寸约为10 nm左右。将其制备成气敏元件后在240℃的最佳温度下，对50 ppm的乙醇响应值能达到约为110，响应时间为16.2 s，恢复时间为10 s。通过对不同有机试剂的性质测试发现对乙醇的响应性最高。说明该纳米材料对乙醇气体响应性高，选择性好，响应时间短，成本低，能耗少等优点，具有较好的实际应用价值。

主权项

1.一种Pr掺杂In₂O₃纳米气敏元件的制备方法，具体的步骤为0.4512 g In(NO₃)₃·x H₂O和0.069 g Pr(NO₃)₃·6 H₂O，溶解到30 mL的无水乙醇和6 mL 25%的氨水的混合溶剂中，充分搅拌30~60 min; 将上述溶液在100 ℃条件下水热反应24 h，反应结束后，将得到的产物冷却至室温，接着用水和乙醇交替离心洗涤，离心机参数设为9000 r/min，离心7 min，将得到的产物进行干燥，最后再500 ℃下煅烧2 h，得到最终产物；将制备好的粉末与松油醇一定量混合，在玛瑙研钵中均匀研磨形成浆液，将浆液用刷子均匀涂在陶瓷管表面，以形成薄的传感材料涂层，在基座上焊接后，老化3天，制成旁热式烧结型气敏元件。