[发明专利]半导体器件和生成布局图的方法

摘要

半导体器件包括：多个鳍，基本上平行于第一方向延伸；多个鳍中的至少一个鳍是伪鳍；以及多个鳍中的至少一个鳍是有源鳍；以及至少一个栅极结构，形成在多个鳍中的相应鳍上方并基本上平行于第二方向延伸，第二方向基本上垂直于第一方向；以及其中，多个鳍和至少一个栅极结构位于包括奇数个鳍的单元区域中。在实施例中，单元区域基本上是矩形的并且具有基本上平行于第一方向的第一边缘和第二边缘；以及第一边缘和第二边缘都不与多个鳍中的任一个重叠。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n多个鳍，平行于第一方向延伸；/n所述多个鳍中的至少一个鳍是伪鳍；以及/n所述多个鳍中的至少一个鳍是有源鳍；以及/n至少一个栅极结构，形成在所述多个鳍中的相应鳍上方并平行于第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；以及/n其中，所述多个鳍和所述至少一个栅极结构位于包括奇数个鳍的单元区域中。/n