[发明专利]薄膜太阳能电池窗口层的制备方法在审
| 申请号： | 201910561323.0 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110444622A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘雅丽 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上依次层叠形成背电极层、光吸收层、缓冲层和本征氧化锌层，得到薄膜太阳能电池片；在所述本征氧化锌层的远离衬底的表面形成具有类石墨烯二维纳米晶体结构的类石墨烯二维纳米窗口层。采用本发明的方法形成的类石墨烯二维纳米窗口层方块电阻可以达到小于5Ω/□，且可见光透过率超过85％。相比传统的导电窗口层AZO薄膜具有更低的方块电阻，而且对于相同的方块电阻，本发明的类石墨烯二维纳米窗口层的厚度远小于传统的AZO导电膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 窗口层 二维纳米 类石墨烯 方块电阻 制备 薄膜太阳能电池 本征氧化锌层 传统的 衬底 薄膜太阳能电池片 可见光透过率 背电极层 表面形成 光吸收层 晶体结构 依次层叠 导电膜 缓冲层 导电 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次层叠形成背电极层、光吸收层、缓冲层和本征氧化锌层，得到薄膜太阳能电池片；在所述本征氧化锌层的远离衬底的表面形成具有类石墨烯二维纳米晶体结构的类石墨烯二维纳米窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
