[发明专利]薄膜太阳能电池窗口层的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上依次层叠形成背电极层、光吸收层、缓冲层和本征氧化锌层，得到薄膜太阳能电池片；

在所述本征氧化锌层的远离衬底的表面形成具有类石墨烯二维纳米晶体结构的类石墨烯二维纳米窗口层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，所述类石墨烯二维纳米窗口层包括二硫化钼纳米膜层、二硫化钨纳米膜层中的一种或两种。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积、分子束外延、氧化-还原方法中的任一种方法形成所述类石墨烯二维纳米窗口层。

4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，采用三氧化钼作为钼源前驱体，硫粉作为硫源前驱体，通过化学气相沉积方法形成二硫化钼纳米膜层。

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积方法形成二硫化钼纳米膜层的工艺参数为：三氧化钼与硫粉的质量比为1：7～15，通入的氩气流量为100sccm～200sccm，沉积温度为650℃～1100℃，沉积时间为15min～40min。

6.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，采用三氧化钨作为钨源前驱体，硫粉作为硫源前驱体，通过化学气相沉积方法形成二硫化钨纳米膜层。

7.根据权利要求6所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积方法形成二硫化钨纳米膜层的工艺参数为：三氧化钨与硫粉的质量比为1：1.2～6，通入的氩气流量为100sccm～200sccm，沉积温度为900℃～1100℃，沉积时间为15min～40min。

8.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，采用分子束外延方法形成的类石墨烯二维纳米窗口层的层数不超过10层。

9.根据权利要求1-8任一项所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，在形成所述类石墨烯二维纳米窗口层之后，所述方法还包括：

在所述类石墨烯二维纳米窗口层的远离衬底的表面形成透明导电窗口层，所述透明导电窗口层包括掺铝氧化锌膜层、掺硼的氧化锌、掺镓的氧化锌中的一种或几种。

10.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池窗口层的制备方法，其特征在于，所述类石墨烯二维纳米窗口层和所述透明导电窗口层的膜厚之和小于等于400nm，所述类石墨烯二维纳米窗口层的膜厚为0.1nm～10nm。