[发明专利]CMOS图像传感器的实现方法在审
| 申请号： | 201910558918.0 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN112151557A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;徐涛 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器的实现方法，包括：于半导体衬底上形成沟槽，至少部分所述沟槽用于后续步骤中形成图像传感器像素单元的源跟随晶体管；填充第三阻挡层，覆盖沟槽；采用图形化工艺刻蚀沟槽周围的部分区域，形成浅沟槽隔离结构；填充氧化层覆盖所述浅沟槽隔离结构；采用化学机械研磨所述氧化层停止至第三阻挡层；去除第三阻挡层；在所述沟槽中填充多晶硅层，刻蚀至少部分沟槽形成源跟随晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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