[发明专利]晶圆缺陷扫描方法及系统、缺陷检验机台在审
| 申请号： | 201910555991.2 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110299298A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 许平康;方桂芹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法及系统、缺陷检验机台，晶圆缺陷扫描方法包括：将一晶圆上的每一待检测区域划分为密集区和非密集区；对每一所述待检测区域的所述密集区和所述非密集区分别以第一像素单元和第二像素单元进行缺陷扫描；其中，所述第一像素单元的像素小于所述第二像素单元的像素。应用本发明提供的方案可以提高缺陷检验机台的扫描速度和产出。 | ||
| 搜索关键词： | 像素单元 密集区 机台 缺陷检验 待检测区域 扫描 晶圆缺陷 缺陷扫描 像素 晶圆 种晶 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括：将一晶圆上的每一待检测区域划分为密集区和非密集区；对每一所述待检测区域的所述密集区和所述非密集区分别以第一像素单元和第二像素单元进行缺陷扫描；其中，所述第一像素单元的像素小于所述第二像素单元的像素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
