[发明专利]外延硅晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201910554161.8 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110629199B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 山本纯;松田信也 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;谭祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够减少外延膜中的碳浓度的外延硅晶圆的制造方法。在以载置硅晶圆的基座为界划分上部空间和下部空间而前述上部空间和下部空间经由既定的间隙连通的反应炉内、在前述硅晶圆的表面形成外延膜的外延硅晶圆的制造方法中，在前述反应炉内的上部空间形成沿硅晶圆的上表面沿横向流动的工艺气体的气流，并且在前述下部空间形成从前述基座的下方向该基座流向上方的主吹扫气体的气流，将在前述上部空间流动的工艺气体的流量设为100的情况下，使在前述下部空间流动的主吹扫气体流量为1.0~1.5，至少将前述上部空间的气压控制成大气压±0.2kPa内。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 硅晶圆 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延硅晶圆的制造方法，前述外延硅晶圆的制造方法为，在以载置硅晶圆的基座为界划分上部空间和下部空间而前述上部空间和下部空间经由既定的间隙连通的反应炉内，在前述硅晶圆的表面形成外延膜，其特征在于，/n在前述反应炉内的上部空间，形成沿硅晶圆的上表面沿横向流动的工艺气体的气流，并且，在前述下部空间，形成从前述基座的下方向该基座流向上方的主吹扫气体的气流，/n将在前述上部空间流动的工艺气体的流量设为100的情况下，使在前述下部空间流动的主吹扫气体流量为1.0~1.5，/n至少将前述上部空间的气压控制为大气压±0.2kPa内。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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