[发明专利]外延硅晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种外延硅晶圆的制造方法，前述外延硅晶圆的制造方法为，在以载置硅晶圆的基座为界划分上部空间和下部空间而前述上部空间和下部空间经由既定的间隙连通的反应炉内，在前述硅晶圆的表面形成外延膜，其特征在于，

在前述反应炉内的上部空间，形成沿硅晶圆的上表面沿横向流动的工艺气体的气流，并且，在前述下部空间，形成从前述基座的下方向该基座流向上方的主吹扫气体的气流，

形成从前述反应炉的作为硅晶圆的搬入搬出口的狭缝流向前述下部空间的狭缝吹扫气体的气流，

将在前述上部空间流动的工艺气体的流量设为100的情况下，使在前述下部空间流动的主吹扫气体流量为1.0~1.5，使在前述下部空间流动的前述主吹扫气体及前述狭缝吹扫气体的流量为20.5以下，

将前述上部空间的气压控制为大气压±0.2kPa内。

2.如权利要求1所述的外延硅晶圆的制造方法，其特征在于，

在沿前述基座的外周配置的环状的预加热环的内周缘部和前述基座的外周缘部之间形成前述间隙，

将前述基座的高度设定为前述预加热环的高度的＋0mm~-3mm以内。