[发明专利]一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙真空晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910553385.7 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110310873A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 徐季;张晓兵;张建;王琦龙;杨文鑫 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J19/02 | 分类号： | H01J19/02;H01J19/32;H01J19/38;H01J9/00;H01J9/02;H01J9/14 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙真空晶体管及其制备方法，所述纳米间隙真空晶体管，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度。本发明将真空器件的尺度压缩至亚100纳米尺度，器件加工工艺要求与传统的半导体工艺相近，改进了传统电真空器件需要复杂的机械加工和装配。更为重要的是，为未来实现小型化和集成化的真空元器件、集成电路以及真空电子系统提供可能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米间隙 真空晶体管 发射极 栅极结构 垂直型 收集极 制备 尺度 氧化物绝缘层 半导体工艺 电真空器件 工艺要求 机械加工 距离保持 纳米尺度 器件加工 系统提供 真空电子 真空器件 传统的 集成化 元器件 集成电路 装配 压缩 改进 | ||
【主权项】：
1.一种扩展栅极结构的垂直型真空纳米沟道晶体管，其特征在于：包括背栅极（1）、发射极（2）、扩展栅极（3）、收集极（4）和第一氧化物绝缘衬底（5）、第二氧化物绝缘衬底（6）、第三氧化物绝缘衬底（7）；所述第一氧化物衬底（5）设置于背栅极（1）与发射极（2）之间，所述第二氧化物衬底（6）设置于发射极（2）与扩展栅极（3）之间，所述第三氧化物衬底（7）设置于扩展栅极（3）与收集极（4）之间，皆用于隔绝电极间的漏电流；所述发射极（2）和收集极（4）之间的距离在亚100纳米尺度。
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