[发明专利]具有增强浮置栅极的闪速存储器结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910537987.3 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110875324B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄宏书;刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及闪速存储器结构。闪速存储器结构具有设置在衬底内的源极区和漏极区。选择栅极在衬底上方设置在源极区和漏极区之间，并且浮置栅极在衬底上方设置在选择栅极和源极区之间。控制栅极设置在浮置栅极上方。浮置栅极的侧壁限定从浮置栅极的下表面向下延伸的突出物以限定浮置栅极底部内的凹槽。本发明的实施例还提供了闪速存储器结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 栅极 存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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