[发明专利]全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法

摘要

本公开提供了一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L10‑MnGa、L10‑MnAl、D022‑Mn3Ga或D022‑Mn3Ge中的一种或多种；所述垂直易磁化层的厚度为1～4nm；所述垂直易磁化层的易磁化轴沿面外方向。本公开在不依赖外加磁场的条件下，不仅可以实现全电学调控的自旋轨道力矩翻转，具有低功耗、多功能和高可靠性等特点。还具有高响应速度、长寿命、高热稳定性、多功能等特点，非常适合用于开发高速自旋存储器件和可编程自旋逻辑器件。

主权项

1.一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件，其中，顺次制作包括：基片、平滑层、垂直易磁化层、重金属层、面内易磁化层和覆盖层；所述垂直易磁化层的材料为垂直磁各向异性Mn基铁磁金属或亚铁磁金属，包括L1₀‑MnGa、L1₀‑MnAl、D0₂₂‑Mn₃Ga或D0₂₂‑Mn₃Ge中的一种或多种；所述垂直易磁化层的厚度为1～4nm；所述垂直易磁化层的易磁化轴沿面外方向。