[发明专利]抗干扰高灵敏度紫外光探测器有效
申请号: | 201910529519.1 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN112201704B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 吕惠宾;郭尔佳;何萌;金奎娟;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/024;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;王博 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种紫外光探测器,包括:吸收体,所述吸收体的禁带宽度大于3.2eV;设置在所述吸收体的一个表面的第一电极,所述第一电极采用能够透过紫外光的导电材料,并且所述第一电极覆盖所述吸收体的所述一个表面;设置在所述吸收体的另一个表面的第二电极和第三电极;以及电源,所述电源的正极和负极分别连接至所述第二电极和所述第一电极。本发明的紫外光探测器灵敏度高、抗干扰能力强。 | ||
搜索关键词: | 抗干扰 灵敏度 紫外光 探测器 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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