[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，在衬底中形成阵列共源掺杂区之后，在阵列共源掺杂区上的衬底中先形成凹槽，并在凹槽中形成该阵列共源掺杂区的预埋电连线，而后再形成堆叠层，在刻蚀堆叠层形成栅线缝隙时，以该预埋电连线为停止层，并在栅线缝隙中填充介质材料。这样，在对堆叠层进行深刻蚀之前，就定义出了共源掺杂区底部的凹槽以及凹槽中的预埋电连线，可以通过其他方式引出该预埋电连线，栅线缝隙中无需全部填充应力大的导电材料，从而，避免晶圆由于应力而导致的弯曲，提高器件的性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括阵列存储区；在所述阵列存储区的衬底中形成阵列共源掺杂区，以及在所述衬底中、所述阵列共源掺杂区上形成凹槽；在所述凹槽中形成所述阵列共源掺杂区的预埋电连线；在所述阵列存储区上形成绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠层；以所述预埋电连线为刻蚀停止层，进行所述堆叠层的刻蚀，以在所述预埋电连线上形成栅线缝隙；利用所述栅线缝隙将所述牺牲层替换为栅极层，并在所述栅线缝隙中填充介质材料。