[发明专利]一种P型纳米过渡金属氧化物薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910519835.0 | 申请日: | 2019-06-17 |
公开(公告)号: | CN110310888B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 李景灵;徐雪青;樊婷;邓兵 | 申请(专利权)人: | 佛山科学技术学院 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L51/50;H01L51/56;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 谢泳祥 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出了一种P型纳米过渡金属氧化物薄膜及其制备方法和应用。将过渡金属氧化物薄膜进行表面改性和浸润清洗,得到P型特性得到增强的P型纳米过渡金属氧化物薄膜。本发明通过表面改性处理结合浸润清洗的工艺方法,除了能增强空穴导电性能外,还能改善薄膜的均匀性和致密性,对于制备高平整度薄膜具有十分明显的效果,相比于传统掺杂和高温烧结的方式,实现方式更简单,结果重复性更好。制得的P型纳米过渡金属氧化物薄膜,应用范围广泛,对高效器件的研究和发展有着积极的促进意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 过渡 金属 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种P型纳米过渡金属氧化物薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、采用过渡金属氧化物纳米颗粒分散液作为制膜原料,通过溶液法涂布在阳极基片上制得纳米晶薄膜,测得纳米晶薄膜厚度d;步骤二、对纳米晶薄膜进行紫外臭氧或氧等离子体表面改性处理;步骤三、对表面改性后的薄膜进行重排处理,制得所述P型纳米过渡金属氧化物薄膜,当d小于15nm时,重排处理次数为1次,当d不小于15nm且小于85nm时,重排处理次数为log2(d/10)+1四舍五入后的整数值次数,当d不小于85nm时,重排处理次数为5次;所述重排处理具体包括以下步骤:将表面改性后的薄膜浸泡于非极性溶剂中,浸润1~10s后取出,然后再浸泡于极性溶剂中,浸润1~10s后取出,去除表面溶剂,然后采用与步骤二中相同的表面改性处理方法进行表面改性处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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