[发明专利]基于锗硅异质结和双栅工艺的少掺杂隧穿场效应晶体管及制作方法有效
| 申请号： | 201910518172.0 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110246893B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘红侠;韩涛 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于锗硅异质结和双栅的少掺杂隧穿场效应晶体管，主要解决现有少掺杂隧穿场效应晶体管开关比和频率差的问题。其包括：漏区、沟道区、源区、第一上栅介质、第二上栅介质、第一下栅介质、第二下栅介质、源极、栅极和漏极；源区和沟道区自左向右位于漏区左侧，栅极和第一上栅介质自上而下位于沟道区上侧，第一下栅介质位于沟道区下侧，源极位于第一上栅介质左侧，漏极位于第一下栅介质右侧，第二上栅介质位于第一上栅介质上侧，第二下栅介质位于第一下栅介质下侧；源区和沟道区分别采用Ge和SiGe材料，形成异质结；背栅极位于第一下栅介质下侧，形成双栅。本发明提高了晶体管的开关比和频率，适用于低功耗数字集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 锗硅异质结 工艺 掺杂 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于锗硅异质结的双栅隧穿场效应晶体管，包括：漏区(1)、沟道区(2)、源区(3)、第一上栅介质(4)、第二上栅介质(5)、第一下栅介质(6)、第二下栅介质(7)、源极(8)、栅极(9)和漏极(10)；源区(3)和沟道区(2)自左向右依次位于漏区(1)的左侧，栅极(9)和第一上栅介质(4)自上而下位于沟道区(2)的上侧，第一下栅介质(6)位于沟道区(2)的下侧，源极(8)位于第一上栅介质(4)的左侧，漏极(10)位于第一下栅介质(6)的右侧，其特征在于：第二上栅介质(5)位于第一上栅介质(4)的上侧，第二下栅介质(7)位于第一下栅介质(6)的下侧；源区(3)采用Ge材料，沟道区(2)采用SiGe材料，以形成异质结；背栅极(11)位于第一下栅介质(6)的下侧，以形成双栅。
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