[发明专利]沟槽刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910511392.0 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112086351A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵月梅;曾伟雄;孙武;徐若男 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽刻蚀方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成具有开口图形的刻蚀掩膜层；在所述开口图形两侧的所述刻蚀掩膜层与所述衬底之间形成空隙槽；以所述刻蚀掩膜层作为刻蚀掩膜，对所述衬底进行干法刻蚀，并形成沟槽。本发明通过引入各向同性刻蚀形成的空隙槽，得到具有圆滑顶部的沟槽结构，且沟槽结构的宽度尺寸及深度等参数也得到精确控制，从而改善了器件的击穿特性，提升了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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