[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910509871.9 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110610853A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 佐田彻也;永田广;麻生丰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高显影的均匀性的技术。实施方式的基片处理装置包括输送机构、显影液槽和供给嘴。输送机构平流地输送在表面形成有被曝光了的光致抗蚀剂膜的基片。显影液槽将由输送机构输送的基片浸渍在显影液中。供给嘴将显影液供给到被从显影液槽内的显影液中输送至外部的基片。 | ||
| 搜索关键词： | 输送机构 显影液槽 显影液 浸渍 光致抗蚀剂膜 基片处理装置 显影液供给 表面形成 均匀性 平流 显影 曝光 外部 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n输送机构，其平流地输送在表面形成有被曝光了的光致抗蚀剂膜的基片；/n显影液槽，其将由所述输送机构输送的所述基片浸渍在显影液中；和/n供给嘴，其将显影液供给到被从所述显影液槽内的所述显影液中输送至外部的所述基片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
