[发明专利]一种旋转结构及其制备方法有效
申请号: | 201910505918.4 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110217754B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 焦继伟;刘京;费跃;陈思奇 | 申请(专利权)人: | 上海芯物科技有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种旋转结构及其制备方法,旋转结构的制备方法包括采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元,所述斜坡单元包括独立设置的第一斜坡面和第二斜坡面;在所述第一斜坡面和所述第二斜坡面分别制备第一电极;在所述斜坡单元一侧制备可旋转单元;制备第二电极,所述第二电极与所述可旋转单元电连接,所述可旋转单元用于根据所述第一电极和所述第二电极之间的静电力进行旋转。采用上述技术方案,通过采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元,斜坡单元制备简单,解决现有技术中通过多次光刻工艺制备斜坡单元工艺复杂的技术问题;同时采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元时,斜坡单元的倾斜角度可以做到很小,提升斜坡单元的制备灵活度。 | ||
搜索关键词: | 一种 旋转 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种旋转结构的制备方法,用于制备静电驱动的旋转结构,其特征在于,所述旋转结构包括斜坡单元和可旋转单元;所述制备方法包括:采用离子束刻蚀工艺制备斜坡单元,所述斜坡单元包括独立设置的第一斜坡面和第二斜坡面;在所述第一斜坡面和所述第二斜坡面分别制备第一电极;在所述斜坡单元一侧制备可旋转单元;制备第二电极,所述第二电极与所述可旋转单元电连接,所述可旋转单元用于根据所述第一电极和所述第二电极之间的静电力进行旋转。
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