[发明专利]一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910500434.0 申请日: 2019-06-11
公开(公告)号: CN110190185B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 赵勇;朱守辉;孙柏;付国强;李冰 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 610031 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件及其制备方法,器件依次包括采用柔性材料制成的基底、下电极、介电层和上电极。制作方法为:S1、选取柔性材料作为基底;S2、将基底依次通过去离子水、乙醇、丙酮、乙醇、去离子水清洗干净;S3、在基底上横向10%~90%的区域沉积金属钛作为下电极;S4、使用模具遮挡下电极纵向0%~30%的区域;S5、在未遮盖的下电极表面利用射频溅射沉积LiCoO2作为介电层;S6、用具有网格的掩膜板掩盖介电层,将金属银、钛或者铜通过网格沉积在介电层上。本发明利用磁控溅射的方法制备柔性器件,能够实现忆阻特性和二极管行为,可以用来替换相同功率的二极管和存储器应用于电路板以实现二极管和存储器的共存效应。
搜索关键词: 一种 具有 特性 二极管 行为 柔性 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件,其特征在于,依次包括采用柔性材料制成的基底(1)、下电极(2)、介电层(3)和上电极(4)。
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