[发明专利]一种SBD结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910494910.2 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110190115A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 任远;陈志涛;张树昕;李成果;曾昭烩;李祈昕;李叶林 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种SBD结构及其制作方法，涉及半导体领域。该SBD结构包括衬底，位于衬底一侧的重掺杂n型半导体层，位于重掺杂n型半导体层远离衬底一侧的轻掺杂n型半导体层，位于轻掺杂n型半导体层远离衬底一侧的阳极金属层与位于重掺杂n型半导体层远离衬底一侧的阴极金属层，及覆盖于重掺杂n型半导体层与轻掺杂n型半导体层表面的终端结构，其中，制作终端结构的材料为P型金属氧化物。本申请提供的SBD结构及其制作方法具有能够缓解器件在反向耐压状态时表面区域存在的高电场，降低器件反向漏电流并提高器件的击穿电压，延长器件使用寿命的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 重掺杂 轻掺杂 终端结构 制作 半导体领域 反向漏电流 阳极金属层 阴极金属层 反向耐压 击穿电压 降低器件 器件使用 高电场 状态时 氧化物 申请 缓解 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种SBD结构，其特征在于，所述SBD结构包括：衬底；位于所述衬底一侧的重掺杂n型半导体层；位于所述重掺杂n型半导体层远离所述衬底一侧的轻掺杂n型半导体层，其中，所述轻掺杂n型半导体层的横截面积小于所述重掺杂n型半导体层的横截面积；位于所述轻掺杂n型半导体层远离所述衬底一侧的阳极金属层与位于所述重掺杂n型半导体层远离所述衬底一侧的阴极金属层；及覆盖于所述重掺杂n型半导体层与所述轻掺杂n型半导体层表面的终端结构，其中，制作所述终端结构的材料为P型金属氧化物。
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