[发明专利]一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法及其应用在审
| 申请号： | 201910493721.3 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110704997A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 罗浩瑞;郭健;姚鸿 | 申请（专利权）人： | 苏州芯智瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司： | 11278 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 田方正 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法及其应用。该方法包括：测量晶体管的必要物理参数和直流IV特性曲线，用MIT模型拟合直流IV特性曲线，得到漏极电流 | ||
| 搜索关键词： | 噪声模型 电荷 闪烁 漏极电流 特性曲线 物理参数 建模 漏极 源极 高电子迁移率晶体管 测量晶体管 工业化应用 测量数据 模型拟合 拟合参数 原有的 推导 应用 验证 填补 引入 | ||
【主权项】：
1.一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型建立基于电荷建模的MIT高电子迁移率晶体管模型。/n
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