[发明专利]一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法及其应用

权利要求书

1.一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型建立基于电荷建模的MIT高电子迁移率晶体管模型。

2.根据权利要求1所述的一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法，其特征在于，按照以下步骤进行：

1）使用MIT模型对某晶体管的直流IV图像进行拟合，得到MIT模型下的漏极电流，漏极电荷密度，源极电荷密度的具体表达式，并将其表达式代入所提出的闪烁噪声模型中得到该晶体管的闪烁噪声模型；

2）使用MIT模型中的距离与电荷密度的关系式对半导体器件中闪烁噪声模型推导和化简；

3）使用该改良闪烁噪声模型对半导体器件中的闪烁噪声进行建模，并得出一系列相关的仿真结果，器件的归一化的电流噪声功率谱密度与其工作频率，栅极电压之间的关系，器件的电压功率谱密度与栅极电压之间的关系。

3.根据权利要求2所述的一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：

基于电荷的，适用于MIT模型的闪烁噪声功率谱密度

式中：是频率的函数，均为栅源电压和漏源电压的函数；

其中可调节的拟合参数，为漏极的电荷密度，为源极的电荷密度，为陷阱密度，为载流子迁移率，为晶体管器件长度，为一个调节该功率谱密度与频率相关性的物理量，代表了电子隧穿到陷阱的概率，为漏极电流。

4.根据权利要求2所述的一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型建立方法，其特征在于，所述闪烁噪声模型为：

式中：为电流闪烁噪声的功率谱密度，为跨导，为电压闪烁噪声的功率谱密度。

5.一种基于MIT高电子迁移率晶体管模型的闪烁噪声模型的应用，其特征在于，所述闪烁噪声模型用于半导体器件测试之中，用于评价半导体器件的性能。