[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置在审
| 申请号： | 201910489891.4 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110366084A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李卫刚 | 申请（专利权）人： | 七色堇电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件，其制备在衬底上，包括：振膜、背极板和背腔，其中振膜上设有凹陷结构。通过在振膜上设置凹陷结构，其能释放振膜本身结构中的内应力，使得振膜的具有更高的机械灵敏度，从而给器件带来更佳的信噪比。本申请还公开一种半导体器件的制备方法，和包括半导体器件的电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 振膜 半导体器件 制备 凹陷结构 电子装置 机械灵敏度 背极板 信噪比 背腔 衬底 申请 释放 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，制备在衬底上，包括：振膜、背极板和背腔，其特征在于：所述振膜上设有凹陷结构。
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