[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和电子装置在审
| 申请号： | 201910489891.4 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110366084A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李卫刚 | 申请（专利权）人： | 七色堇电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海知义律师事务所 31304 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 201400 上海市奉贤区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 振膜 半导体器件 制备 凹陷结构 电子装置 机械灵敏度 背极板 信噪比 背腔 衬底 申请 释放 | ||
1.一种半导体器件，制备在衬底上，包括：振膜、背极板和背腔，其特征在于：所述振膜上设有凹陷结构。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述振膜通过振膜锚点固定在所述衬底上，且所述振膜锚点为连续的锚点。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：所述凹陷结构包括若干封闭的凹陷槽。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述振膜为圆柱形，所述凹陷槽为圆柱形槽，且所述振膜锚点为连续的环状锚点，且所述凹陷槽位于被所述振膜锚点包围的振膜区域内。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述若干凹陷槽以所述振膜中心为中心进行设置，所述凹陷槽设在所述振膜上靠近所述振膜锚点的区域。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述凹陷槽为圆柱形，所述凹陷槽为5个，所述振膜厚度与所述凹陷槽的深度比小于3。
7.一种电子装置，包括如权利要求1至6任一项所述的半导体器件。
8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
准备一衬底；
在所述衬底正面形成锚点和带有凹陷结构的振膜；
在振膜的上面或下面形成背极板和声孔；
在所述背极板和所述振膜之间形成间隙和在振膜远离所述背极板的一面形成背腔，器件制备完成。
9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在衬底正面形成锚点和带有凹陷结构的振膜，具体包括：
在所述衬底的正面形成第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行图形化形成一第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述衬底；
接着在第一绝缘层内进行图形化形成若干第二凹槽，所述第二凹槽的深度小于所述第一绝缘层的深度；
在所述第一绝缘层上形成振膜材料层，所述振膜材料层填充所述第一凹槽，并部分覆盖第二凹槽；
对所述振膜材料层进行图形化，暴露出所述第一绝缘层的边缘，形成所述锚点与带有凹陷结构的振膜。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述锚点为连续的锚点。
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