[发明专利]一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚在审
| 申请号： | 201910486041.9 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110055588A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈诺夫;杨阳 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶生长用固气界面可控的坩埚，其包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降；所述坩埚本体的外表面设置保温层；所述原料盒是内置于坩埚的开口原料盒；所述连接杆的升降速度为0‑10mm/min；所述连接杆连接所述坩埚外部的电动装置。本发明所提供的坩埚结构使得晶体生长环境不会因为原料减少降低固气界面而变化，从而使晶体生长更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 原料盒 坩埚本体 连接杆 固气 连接杆连接 可控的 升降 晶体生长环境 碳化硅单晶 单晶生长 电动装置 晶体生长 坩埚结构 保温层 开口 体内 生长 贯穿 外部 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶生长用固气界面可控的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体，贯穿坩埚本体底部的连接杆，所述连接杆连接原料盒，所述原料盒随所述连接杆在坩埚本体内升降。
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