[发明专利]制造CdTe太阳能电池的方法在审
| 申请号： | 201910481012.3 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110556438A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | D.希尔施;O.齐维茨基;T.莫德斯;T.维尔纳;T.科普特;C.梅茨纳 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍夫应用研究促进协会 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘维升;梅黎 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及制造CdTe太阳能电池的方法，其中在真空室（1）内将至少下列层沉积在玻璃衬底上：用作前接触的TCO层；至少一个CdTe层；含氯化合物的薄层和用作背接触的导电层。在此，在沉积所述至少一个CdTe层之前，在TCO层上沉积最多20 nm厚的CdS钝化层，在该钝化层中嵌入未化学结合的氧。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 钝化层 含氯化合物 化学结合 背接触 导电层 真空室 薄层 衬底 嵌入 玻璃 制造 | ||
【主权项】：
1.制造CdTe太阳能电池的方法，其中将至少下列层沉积在玻璃衬底上：用作前接触的TCO层；至少一个CdTe层；含氯化合物的薄层和用作背接触的导电层，其特征在于，在沉积所述至少一个CdTe层之前，在TCO层上沉积最多20 nm厚的CdS钝化层，在该钝化层中嵌入未化学结合的氧。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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