[发明专利]一种金属基三维石墨烯复合材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910479239.4 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110170655A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 马瑜;杨军;钱天宝;吕雪超 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰电器股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/11 | 分类号： | B22F3/11;C23C16/26;C01B32/186 |
| 代理公司： | 北京卓言知识产权代理事务所(普通合伙) 11365 | 代理人： | 王茀智;龚清媛 |
| 地址： | 325603 浙江省乐*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种金属基三维石墨烯复合材料的制备方法，包含步骤1：将金属粉末放入生长器皿中；步骤2：放进化学气相沉积炉中在保护性气氛下，采用500℃‑1050℃的烧结温度进行烧结制备块状的三维网络结构的泡沫金属；步骤3：通入生长气体，在500℃‑1050℃的温度下直接在块状的泡沫金属的表面生长石墨烯薄膜，形成金属基三维石墨烯复合材料；制备的泡沫金属孔隙小而密，成本比较低，适合工业化生产；然后在三维网络结构的泡沫金属的表面直接生长三维石墨烯，制备的金属基三维石墨烯复合材料的石墨烯薄膜是均匀且连续的，石墨烯在复合材料中的质量百分比也较高，对复合材料导电性能的提升有帮助。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯复合材料 制备 金属基 三维 泡沫金属 三维网络结构 石墨烯薄膜 烧结 石墨烯 复合材料导电性 化学气相沉积炉 泡沫金属孔隙 质量百分比 表面生长 成本比较 金属粉末 直接生长 复合材料 生长 器皿 放入 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种金属基三维石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将金属粉末放入生长器皿中；步骤2：放进化学气相沉积炉中在保护性气氛下，采用500℃‑1050℃的烧结温度进行烧结制备块状的三维网络结构的泡沫金属；步骤3：通入生长气体，在500℃‑1050℃的温度下直接在块状的泡沫金属的表面生长石墨烯薄膜，形成金属基三维石墨烯复合材料。
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