[发明专利]存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法有效
| 申请号： | 201910477228.2 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110556141B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成;陈旭顺;赖建安;曾佩玲;林钲峻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压；以及RRAM器件，配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 rram 器件 执行 写入 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：/n偏置电压生成器，包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压；/n驱动电路，配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压；以及/n电阻式随机存取存储器(RRAM)器件，配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。/n
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