[发明专利]测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910476619.2 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110197872A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘明;胡忠强;周子尧;王志广;朱媛媛;普江涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李红霖 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 测量范围可调的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，包括基底、顶电极、磁性层、底电极和导电层；顶电极设置在基底的上表面，底电极设置在基底的下表面，磁性层和导电层均设置在顶电极的上表面，且导电层设置在磁性层的周围。本发明利用磁电复合材料中的磁各向异性场可受电场调控的原理，在压电基底上制备AMR磁阻传感器，通过外加电场控制磁阻效应的大小和饱和磁场，进而实现对磁阻传感器的灵敏度和线性检测范围的调控，实现了使用电场对磁阻材料内部磁化方向的调节，与传统的磁场调控、硬磁偏置等方法相比，电场调控具有效率高、体积小、能耗低、易于集成的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 磁性层 导电层 顶电极 制备 各向异性磁电阻 磁阻传感器 电场调控 底电极 上表面 传感器 测量范围可调 磁电复合材料 磁各向异性 电场 饱和磁场 磁场调控 磁化方向 磁阻材料 磁阻效应 方法测量 外加电场 线性检测 传统的 可调的 灵敏度 体积小 下表面 偏置 压电 硬磁 能耗 调控 | ||
【主权项】：
1.测量范围可调的各向异性磁电阻传感器，其特征在于，包括基底(5)、基底顶电极、磁性层(2)、基底底电极和导电层(1)；顶电极设置在基底(5)的上表面，基底底电极设置在基底(5)的下表面，磁性层(2)和导电层(1)均设置在基底顶电极的上表面，且导电层(1)设置在磁性层(2)的周围。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910476619.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
