[发明专利]适用于在变温环境下操作的集成电子器件

摘要

本公开的实施例涉及适用于在变温环境下操作的集成电子器件。一种集成电子器件包括绝缘体上硅(SOI)衬底。在SOI衬底中和上形成至少一个MOS晶体管。该至少一个MOS晶体管具有栅极区域，其接收控制电压；背栅极，其接收调整电压；源极/漏极区域，其具有电阻部分；第一端子，其耦合到第一电压(例如，参考电压)并且形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第一侧上；以及第二端子，其生成代表集成电子器件的温度的电压，该第二端子形成在源极/漏极区域中和电阻部分的第二侧上。调整电路将调整电压生成为具有取决于控制电压和第二端子所生成的电压的值。

主权项

1.一种集成电子器件，包括：/n绝缘体上硅衬底，/n至少一个MOS晶体管，被形成在所述绝缘体上硅衬底中和所述绝缘体上硅衬底上；/n其中所述至少一个MOS晶体管包括：/n栅极区域，被配置为接收控制电压；/n背栅极，被配置为接收调整电压；/n源极或漏极区域，具有电阻部分；/n第一端子，被配置为被耦合到第一电压，并且被形成在所述源极或漏极区域中、以及所述源极区域或漏极区域的所述电阻部分的第一侧上；以及/n第二端子，被配置为生成表示所述集成电子器件的温度的电压，所述第二端子被形成在所述源极或漏极区域中、以及所述源极或漏极区域的所述电阻部分的第二侧上；以及/n调整电路，被配置为将所述调整电压生成为具有取决于所述控制电压和由所述第二端子生成的所述电压的值。/n