[发明专利]磁存储器设备和制造方法在审
| 申请号： | 201910457998.0 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660903A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | D·韦莱特;J·布罗克曼;T·拉赫曼;A·史密斯;安德鲁·史密斯;C·维甘德;O·戈隆茨卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器设备包括底部电极、在底部电极上方例如包括钌和钨的合金的导电层、以及在导电层上的垂直磁隧道结(pMTJ)。在实施例中，pMTJ包括固定磁体、固定磁体上方的隧道势垒和隧道势垒上的自由磁体。存储器设备还包括合成反铁磁(SAF)结构，其与固定磁体铁磁耦合以钉扎固定磁体的磁化。导电层具有晶体织构，其促进SAF结构中的高质量FCC<111>晶体织构并改善固定磁体的垂直磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 固定磁体 导电层 存储器设备 底部电极 晶体织构 隧道势垒 垂直磁各向异性 磁化 垂直磁隧道 铁磁耦合 自由磁体 反铁磁 钉扎 合金 合成 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：/n底部电极；/n在所述底部电极上方包括钌和钨的合金的导电层；/n在所述导电层上的磁隧道结(MTJ)，所述MTJ包括：/n固定磁体；/n自由磁体；以及/n所述固定磁体和所述自由磁体之间的隧道势垒。/n
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