[发明专利]一种门极可关断晶闸管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910456864.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110047913B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京优捷敏半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/745;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 100012 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种门极可关断晶闸管，在N型的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有一阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上管P型基区侧面连接上管P型浓基区或上管P型浓基区汇流条，该上管P型基区、上管P型浓基区和上管P型浓基区汇流条的下面有上管N型集电区，上管N型集电区的下面为下管P型发射区，下管P型发射区的下表面与阳极金属层相连，该硅衬底片的上方设有门极金属层。本发明的门极可关断晶闸管抗dI/dt和抗dV/dt的能力显著增强，击穿电压和电流容量具有宽广的适应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 门极可关断 晶闸管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种门极可关断晶闸管，在N型的高电阻率的硅衬底片的上表面有由复数个高掺杂浓度的上管N型发射区重复排列组成的多条条带，每条条带的四周环绕有上管P型浓基区汇流条，上管N型发射区的上面设有阴极金属层，该上管N型发射区的下面有上管P型基区，该上管P型基区侧面连接掺杂浓度比上管P型基区浓度高的上管P型浓基区或上管P型浓基区汇流条，该上管P型基区、上管P型浓基区和上管P型浓基区汇流条的下面有上管N型集电区，上管N型集电区的下面为下管P型发射区，下管P型发射区位于硅衬底片的底层，下管P型发射区的下表面与阳极金属层相连，该硅衬底片的上方设有门极金属层，其特征在于：所述上管P型浓基区与上管P型浓基区汇流条相交或平行；所述上管P型浓基区汇流条上表面与门极金属层相连接；所述条带内相邻上管N型发射区之间的重复间距在50μm以内；所述门极可关断晶闸管的管芯为方形管芯。
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