[发明专利]背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜在审
| 申请号： | 201910451776.8 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544665A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤慧;志贺豪士;高本尚英 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/552;C09J7/10 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供背面密合薄膜及切割带一体型背面密合薄膜。背面密合薄膜适于确保良好的红外线遮蔽性和激光标记性、能够以贴接于半导体芯片的背面的状态实施基于从该芯片背面侧的红外线显微镜观察的芯片检查。提供具备该背面密合薄膜的切割带一体型背面密合薄膜。作为本发明的背面密合薄膜的薄膜含有在可见光和近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收的多个吸光成分。对由薄膜准备的厚度25μm的薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的总透光率相对于对同一试样片测定的波长1800nm的光线的总透光率的比值为1.2以上。切割带一体型背面密合薄膜X具备切割带(20)和以可剥离的方式密合于其粘合剂层(22)的薄膜(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 密合 背面 切割带 一体型 波长 总透光率 红外线显微镜 半导体芯片 红外线遮蔽 激光标记性 可见光 薄膜试样 波长区域 近红外线 芯片背面 芯片检查 粘合剂层 最大吸收 可剥离 贴接 吸光 观察 | ||
【主权项】：
1.一种背面密合薄膜，其含有多个吸光成分，所述多个吸光成分在可见光及近红外线的波长区域内的不同波长处分别具有最大吸收，/n对厚度25μm的背面密合薄膜试样片测定的波长1000nm的光线的第2总透光率相对于对所述背面密合薄膜试样片测定的波长1800nm的光线的第1总透光率的比的值为1.2以上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
