[发明专利]两步法制备钙钛矿吸收层的方法及钙钛矿太阳能电池在审
申请号: | 201910447754.4 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110364629A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 向艳;唐泽国 | 申请(专利权)人: | 北京宏泰创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种两步法制备钙钛矿吸收层的方法,在前驱体的制备过程中加入水,或在钙钛矿吸收层后处理的过程中采用有机溶剂‑水的混合溶剂进行后处理,水的加入改善了钙钛矿吸收层的粗糙度和平整度,降低了钙钛矿吸收层的针孔率。本发明还提供了一种包含上述钙钛矿吸收层的钙钛矿太阳能电池,其光电转换效率得到显著的提升。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿 吸收层 太阳能电池 制备钙钛矿 后处理 两步法 光电转换效率 混合溶剂 有机溶剂 制备过程 粗糙度 平整度 前驱体 针孔率 | ||
【主权项】:
1.一种两步法制备钙钛矿吸收层的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备包含PbI2的前驱体溶液;2)在前驱体溶液中加入水,形成混合溶液,所述混合溶液中,所述水与所述前驱体溶液的体积比为0.01%‑5%;3)旋涂混合溶液,退火,形成PbI2薄膜;4)在PbI2薄膜上旋涂有机卤化物溶液,退火,得到钙钛矿吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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