[发明专利]一种双面PERC电池及其制备方法在审

申请号：	201910434266.X	申请日：	2019-05-23
公开（公告）号：	CN110165010A	公开（公告）日：	2019-08-23
发明（设计）人：	白玉磐;陈园;付少剑;钟潇;雷佳	申请（专利权）人：	江西展宇新能源股份有限公司
主分类号：	H01L31/068	分类号：	H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	罗满
地址：	334100 江西***	国省代码：	江西;36
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摘要：	本发明提供了一种双面PERC电池及其制备方法，其中，双面PERC电池包括P型硅基底、位于P型硅基底背面的钝化膜层、位于钝化膜层表面的主栅及细栅，细栅与主栅相连且细栅与主栅相垂直，其中，每根细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，激光刻蚀区用于将P型硅基底裸露出来的，位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触；位于相邻两根细栅位置处的激光刻蚀区呈交错分布。本申请公开的上述技术方案，通过细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。
搜索关键词：	细栅激光刻蚀区电池钝化膜层基底主栅位置处制备光电转换效率分段设置交错分布基底背电阻发电量分段背面裸露垂直申请
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【主权项】：

1.一种双面PERC电池，其特征在于，包括P型硅基底、位于所述P型硅基底背面的钝化膜层、位于所述钝化膜层表面的主栅及细栅，所述细栅与所述主栅相连且所述细栅与所述主栅相垂直，其中：每根所述细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，所述激光刻蚀区用于将所述P型硅基底裸露出来，位于所述激光刻蚀区的细栅与所述P型硅基底相接触；位于相邻两根所述细栅的位置处的所述激光刻蚀区呈交错分布。

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摘要：本实用新型公开了一种采用非晶硅钝化层的太阳电池，属于太阳能电池领域，具体涉及一种具有特殊钝化层的太阳能电池，其技术方案为包括基底层、设置在基底层上下两侧的非晶硅层、设置在非晶硅层的透明导电氧化层、设置在透明导电氧化层外表面的金属电极；基底层为P型单晶硅片，所述非晶硅层包括沿P型单晶硅片上下表层依次设置的第一N型掺杂层、第一P型掺杂层,第一N型掺杂层包括从上到下依次设置的N+‑a‑Si掺杂层、N‑c‑Si掺杂层，所述第一P型掺杂层为P+‑a‑Si掺杂层；本实用新型提供一种采用非晶硅钝化层的太阳电池，利用了氢化掺杂非晶硅层良好的场效应钝化效果和化学钝化效果，能取得良好的表面钝化效果，提高电池效率。

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摘要：本发明公开一种串联型钙钛矿/同质结硅叠层太阳能电池及其制备方法。该叠层太阳能电池包括基于PERC(钝化发射极背面接触电池)结构的n型同质结晶体硅太阳能电池作为底电池，具有透明电极的钙钛矿太阳能电池作为顶电池。该叠层太阳能电池的结构从下往上依次为金属底电极，底电极开孔钝化层，局部或全部n型重掺杂层，n型硅，p型重掺杂发射极，发射极钝化层，隧穿层，电子传输层，钙钛矿吸收层，空穴传输层，顶电极缓冲层，透明电极，金属栅线电极，减反膜。本发明的叠层太阳能电池基于目前光伏产业主流的同质结PREC太阳能晶硅电池，制备工艺简单，制备成本低，光转换效率高，适用于大规模产业化生产。

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摘要：本申请提供一种感光元件及测距系统。本申请中，所述感光元件包括：P型轻掺杂的衬底、位于衬底上的电极组以及两个N型重掺杂的信号读出点。其中，衬底包括感光区。电极组包括至少两个P型重掺杂的电极，至少两个P型重掺杂的电极中相邻的两个电极之间存在间隙。两个N型重掺杂的信号读出点分别位于电极组的两侧。电极组与两个信号读出点位于感光区。在曝光至一个信号读出点读取光生信号电荷期间，在朝向读取光生信号电荷的信号读出点的方向上，至少两个P型重掺杂的电极上施加的电压递增，光生信号电荷为衬底因吸收光而产生。本申请的技术方案，可以提高测距系统的测距速度，同时提高系统分辨率。

一种双面PERC电池及其制备方法-201910434266.X
发明人：白玉磐;陈园;付少剑;钟潇;雷佳 -专利权人：江西展宇新能源股份有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明提供了一种双面PERC电池及其制备方法，其中，双面PERC电池包括P型硅基底、位于P型硅基底背面的钝化膜层、位于钝化膜层表面的主栅及细栅，细栅与主栅相连且细栅与主栅相垂直，其中，每根细栅的位置处均包含多个分段设置的激光刻蚀区，激光刻蚀区用于将P型硅基底裸露出来的，位于激光刻蚀区的细栅与P型硅基底相接触；位于相邻两根细栅位置处的激光刻蚀区呈交错分布。本申请公开的上述技术方案，通过细栅处的激光刻蚀区的分段分布来降低对钝化膜层的破坏，并通过相邻两根细栅处的激光刻蚀区的交错分布来降低双面PERC电池的背面电阻，从而提高双面PERC电池的光电转换效率和发电量。

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摘要：本发明涉及电池片及其制备方法，其中，该电池片包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。根据本发明实施例的电池片，降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。

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申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明的一方式涉及的太阳能电池元件，具备：半导体基板，具有第1面以及位于该第1面的相反侧的第2面；钝化膜，配置于该半导体基板的所述第2面；第1电极，以在多个部位贯通了该钝化膜的状态与所述半导体基板相接；第2电极，在俯视下不与该第1电极重叠的位置处，在所述钝化膜上或者以贯通了所述钝化膜的状态在所述半导体基板上，直线状配置该第2电极；以及第3电极，分别覆盖该第2电极的一部分、所述钝化膜以及所述第1电极，并且分别与所述第1电极以及所述第2电极相接，所述第1电极的电阻率小于所述第3电极的电阻率。

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摘要：本发明涉及太阳电池制备技术领域，尤其是一种正面全面积接触钝化的P型晶硅太阳电池及其制备方法；包括衬底，衬底采用P型单晶硅片，电池的正面包含发射极，即pn结区，以及全面积接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅层，其中pn结区和隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅层上有正面钝化层；电池的背面有背面钝化层，电池正面的局域接触钝化的隧穿氧化硅/n型掺杂多晶硅层与金属电极接触；电池的背面局部区域有一层烧结铝浆层形成铝背场；本发明中的电池采用隧穿氧化硅/多晶硅叠层的选择性载流子输运特性，实现全面积的接触钝化，从而在保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合，从而极大的提高电池的转换效率。

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申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括硅片，硅片向光面的正面电极，及硅片背光面的铝层、背电极；所述铝层位于硅片背光面的表面；所述背电极位于铝层的表面；所述铝层接触的硅片背光面的少子寿命为3~10μs。本发明还提供一种背钝化太阳能电池的制备方法，本发明制备的太阳能电池工艺简单，钝化效果好，大大降低了电池的串联电阻，明显增加了电池的填充因子，光电转换效率也有所提升，与只含有背光面铝层的太阳能电池相比，电池的短路电流及开路电压都得到较大程度的提高，且串联电阻也有所降低，因此电池的转换效率得到显著提升。

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申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种P型背接触型太阳能电池，在P型半导体衬底的背面上设置多个N+型半导体结构，在N+型半导体结构之间设置第一电极，所述第一电极中的金属原子扩散到所述背面内，形成P+半导体结构，无需对P型半导体衬底进行磷扩散以及硼扩散，即可在背面形成交替排布的N+型半导体结构与P+半导体结构，制作工艺简单，制作成本低。将第一电极以及第二电极均设置在背面，正面无需设置电极，从而避免了正面设置电极对光造成的反射问题，提高了光的利用率，进而提高了光电转换效率。而且位于背面上的N+型半导体结构相对于传统通过扩散形成于背面内的P+掺杂区，具有更好的表面钝化效果，可以进一步提高光电转换效率。

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申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明属于光伏技术领域，具体为一种背接触式黑硅电池的制备方法。本发明使用银纳米颗粒诱导化学腐蚀制备高吸收率黑硅，背表面黑硅将有效提升硅片在700nm至1500nm的吸收，而受光面将采用表面织构化技术。产生的300‑1500nm广谱光生电子空穴对都可被IBC结构的PN结区有效利用，其光电流远高于常见的晶硅太阳能电池。这种新型的IBC结构同时利用了黑硅的广谱吸收效应和背接触光伏结区构造的优势，从根本上拓宽了晶硅太阳能电池的光谱响应，突破窄带晶硅电池效率理论极限29%，充分利用占据太阳光能谱近半的红外光，实现近20年来晶硅电池工艺瓶颈的突破。

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摘要：本发明公开了一种采用非晶硅钝化层的太阳电池及其制造方法，属于太阳能电池领域，具体涉及一种具有特殊钝化层的太阳能电池，其技术方案为包括基底层、设置在基底层上下两侧的非晶硅层、设置在非晶硅层的透明导电氧化层、设置在透明导电氧化层外表面的金属电极；基底层为P型单晶硅片，所述非晶硅层包括沿P型单晶硅片上下表层依次设置的第一N型掺杂层、第一P型掺杂层,第一N型掺杂层包括从上到下依次设置的N+‑a‑Si掺杂层、N‑c‑Si掺杂层，所述第一P型掺杂层为P+‑a‑Si掺杂层；本发明提供一种采用非晶硅钝化层的太阳电池及其制造方法，利用了氢化掺杂非晶硅层良好的场效应钝化效果和化学钝化效果，能取得良好的表面钝化效果，提高电池效率。

太阳能电池-201821646742.1
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摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括：基底，位于基底正面的正面结构和位于基底背面的背面结构；正面结构包括：第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层、钝化减反射层和正面电极；第一掺杂层、钝化隧穿层、第二掺杂层和钝化减反射层依次排列，正面电极穿过钝化减反射层与第二掺杂层接触；背面结构包括：背面钝化膜和背面电极；背面电极通过背面钝化膜的接触区域与基底接触。本实用新型中，增加了钝化隧穿层，有效地降低了电池的表面复合速率，从而提高了电池的表面钝化性能；正面电极和第二掺杂层接触，可有效地提高电池正表面的横向传输效率，降低电池的串联电阻，从而提高电池的填充因子和转换效率。

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摘要：本发明是太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成射极层的步骤，在射极层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去扩散屏蔽的部位，形成基底层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

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发明人：陈五奎;刘强;徐文州;庞坤;喻先丽 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种能够实现双面发电，提高太阳能发电效率的高效太阳能电池。该高效太阳能电池，包括由上至下依次叠层的第一减反射层、第一N型半导体层、第一P型半导体层、电极层、第二P型半导体层、第二N型半导体层以及第二减反射层；所述第一减反射层上设置有与第一N型半导体层电连接的第一电机；所述第二减反射层下表面设置有与第二N型半导体层电连接的第二电极；所述高效太阳能电池的两侧均设置有与电极层电连接的电极连接块。采用该高效太阳能电池能够将太阳能电池板正面和背面接收到的太阳光均转化为太阳能，能够有效的提高发电效率，提高太阳能利用率。

旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法-201910017046.7
发明人：杨金霖;袁晓;李红波;柳翠;梁海;杨宁;李士正 -专利权人：华东理工大学;浙江启鑫新能源科技股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明涉及旋涂硼源激光掺杂制作N型选择性发射极双面电池的方法，该方法采用的步骤为：N型硅片制绒、正面采用旋涂法旋涂有机硼源后烘干、扩散炉中扩散形成正面轻掺杂发射极、正面BSG激光掺杂形成重掺杂发射极、背面清洗去PSG、背面磷扩散形成磷背场、正反面沉积减反射钝化膜、印刷正背面电极完成电池制作。与现有技术相比，本发明采用旋涂法将硼源涂覆在硅片正面，利用扩散后正面形成的BSG选择性激光掺杂，使得电极下方区域重掺杂硼，有效降低接触电阻，非电极区采用轻掺杂硼减少了正表面的复合，有效提高了电池的电性能。

一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池-201710875369.0
发明人：万勇;高竞;徐胜;姜澄溢;刘浩楠 -专利权人：青岛大学
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种三维硅基微纳光子晶体太阳能电池，前接触层下侧面上设有前电极；前电极和背电极之间是三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构，三维硅基微纳光子晶体太阳能电池结构的上层为n型硅半导体层，下层为p型硅半导体层，前电极嵌入在n型硅半导体层的线缺陷波导底部，p型硅半导体能与背电极构成平面；背电极的底部设有背接触层，背电极设置在p型硅半导体层的慢光区或禁带区；其厚度小，节省材料，载流子扩散距离短、稳定性好、传输效率高；三维结构规整，而且灵活多变，其加工和复合技术成熟，能成为新一代最有潜力、低成本、高效太阳能电池器件。

一种MWT太阳能电池-201821219460.3
发明人：张俊兵;尹海鹏;蒋秀林 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种MWT太阳能电池，包括n型硅基体，在所述n型硅基体中设有将正面电极引至背面的通孔，在所述n型硅基体背面设有介质膜，在所述介质膜上设有选择性掺杂多晶硅薄膜，所述选择性掺杂多晶硅薄膜包括非掺杂多晶硅薄膜和掺杂多晶硅薄膜，所述非掺杂多晶硅薄膜包围所述通孔，剩余区域则为掺杂多晶硅薄膜。其优化了背面钝化结构，采用了选择性掺杂多晶硅薄膜，掺杂多晶硅薄膜能提供优越的场钝化和表面钝化，载流子可以被选择性地隧穿过氧化层达到金属电极，而非掺杂多晶硅薄膜能有效解决漏电和短路问题。

P型晶体硅PERC电池-201821293486.2
发明人：李宏伟;何胜;单伟;周盛永 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型提供了一种P型晶体硅PERC电池，该电池包括：P型晶体硅片，该P型晶体硅片具有织构化的正面和光滑的背面；设置于P型晶体硅片正面内部的PN结结构层；由内至外设置于P型晶体硅片正面外部的隧穿层、多晶硅层和正面减反射层，以及与P型晶体硅片正面接触并探出正面减反射层的正面金属电极；由内至外设置于P型晶体硅片背面外部的钝化层和背面减反射层，以及与P型晶体硅片背面接触并穿透钝化层和背面减反射层的背面金属电极。该电池的正面钝化结构可以有效减小正面复合，提升电池效率。P型晶体硅片背面光滑平整，可以有效提升电池的背面反射率，进一步降低电池的背面复合。

P型PERC电池结构-201821488341.8
发明人：王圣;徐硕贤;金佳源;宋剑;董超;袁占强;陈景;张双玉 -专利权人：江苏林洋光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种P型PERC电池结构，包括硅片层(1)以及依次设于硅片层(1)正面的氧化硅层(2)、氮化硅层(3)和正电极(4)，其特征在于所述硅片层(1)的背面依次设有背氧化铝层(5)、第一背氧化硅层(6)、背氮化硅层(7)、第二背氧化硅层(8)和背电极(9)；通孔(10)贯穿第二背氧化硅层(8)、背氮化硅层(7)、第一背氧化硅层(6)和背氧化铝层(5)并延伸至硅片层(1)中；通孔(10)中填充背电极(9)。第一背氧化硅层SiOx、背氮化硅层SiNx和第二背氧化硅层SiOx组成ONO叠层膜，ONO的氮化硅层居SiNx中可阻挡缺陷延展，三层膜互补，降低背表面复合速率。

一种N型双面电池及其制备方法-201811598109.4
发明人：白明华;包健;张昕宇;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本发明提供了一种N型双面电池及其制备方法，包括：提供一N型硅片；在N型硅片的背面进行扩散，并在N型硅片的背面依次形成第一层掩膜至第X层掩膜，第i+1层掩膜覆盖第i层掩膜以及第i层掩膜周边的区域；依次去除第X层掩膜至第一层掩膜，以形成不同掺杂浓度的第一掺杂区至第Y掺杂区；在正面形成正面钝化减反射层，在背面形成背面钝化减反射层；在正面形成正面电极，在背面形成背面电极；其中，背面电极与第一掺杂区对应设置，第一掺杂区至第Y掺杂区自背面电极处向外依次排列，且第一掺杂区至第Y掺杂区的掺杂浓度依次减小，从而可以降低背面电极域的接触电阻，提高填充因子，降低载流子的复合，提高电池的光量子响应和短路电流密度。

一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构-201821358223.5
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/068
摘要：本实用新型公开了一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。与现有技术相比，在保证硅基砷化镓太阳能电池与砷化镓基或者锗基砷化镓太阳能电池具有相当光电转换效率的前提下，本实用新型可以显著降低生产砷化镓太阳能电池的成本。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种双面PERC电池及其制备方法在审

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