[发明专利]1.5T SONOS闪存的制造方法

摘要

本发明涉及1.5T SONOS闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，首先在半导体衬底上沉积形成的第一层多晶硅栅极层，然后在第一层多晶硅栅极层内定义出存储管的形成区域，刻蚀掉存储管的形成区域内的多晶硅，停止在栅氧层上然后依次沉积ONO层和第二层多晶硅栅极层，对第二层多晶硅栅极层进行化学机械研磨，清洗去除掉第一层多晶硅栅极层顶部残留的ONO层，然后一次形成逻辑器件和1.5T SONOS器件的栅极结构，如此所需光罩个数减少，工艺简单，成本较低，且1.5T SONOS器件形成的过程与逻辑器件制造过程之间不会互相影响，从而提高了器件性能。

主权项

1.一种1.5T SONOS闪存的制造方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成场氧化层，由场氧化层隔离出多个有源区，然后对多个有源区进行阱注入工艺，以形成P阱或N阱；/nS2：在半导体衬底上形成栅氧层；/nS3：形成第一层多晶硅栅极层；/nS4：采用光刻刻蚀工艺定义出存储管的位置并刻蚀掉该区域内的第一层多晶硅栅极层，刻蚀停止在栅氧层上，以定义出存储管的形成区域；/nS5：清洗掉半导体衬底上存储管的形成区域内的栅氧层，露出半导体衬底，然后依次沉积ONO层和第二层多晶硅栅极层；/nS6：对第二层多晶硅栅极层进行平坦化工艺，并停止在ONO层；/nS7：清洗去除掉第一层多晶硅栅极层上的ONO层，然后光刻刻蚀出逻辑器件的栅极结构和1.5T SONOS器件的栅极结构；以及/nS8：完成1.5T SONOS器件及逻辑器件的后续工艺，以完成1.5T SONOS闪存的制造。/n