[发明专利]一种循环加热合成大颗粒SiC粉料的方法在审
| 申请号： | 201910432288.2 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109989103A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;彭燕;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳;杨祥龙;徐南 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 511458 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种循环加热合成大颗粒SiC粉料的方法。该方法包括：在放置于单晶生长炉炉室内的第一坩埚内设置有第二坩埚，该第二坩埚与第一坩埚呈间隔关系，然后通过单晶生长炉的升温与降温，对坩埚进行循环加热实现SiC颗粒的长大。本发明将坩埚发热的功能与生长坩埚的功能分离开，有利于反应完全并合成均匀的大颗粒SiC粉料。本发明通过控制循环加热的次数，可以方便地控制合成的SiC粉料的尺寸，弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 粉料 循环加热 大颗粒 单晶生长炉 合成 粉料粒径 功能分离 技术合成 间隔关系 控制合成 控制循环 生长坩埚 加热 发热 室内 | ||
【主权项】：
1.一种大颗粒SiC粉料的制备方法，是在单晶生长炉中采用循环加热法制备所述的SiC粉料，包括：‑在放置于炉室内的第一坩埚内设置有第二坩埚，该第二坩埚与第一坩埚呈间隔关系；在第二坩埚内提供高纯硅粉和高纯碳粉的混合料；‑炉室内抽真空，感应加热所述坩埚提供合成温度环境；a.开始升温至1400‑1600℃，通入氩气，使炉腔压力达750‑850mbar，保温1.5‑2.5小时；再升温至1700‑1900℃，保温4‑6小时；b.继续升温至2000‑2150℃，保持压力750～850mbar，保温1.5‑2.5小时，然后降温至1700‑1900℃，压力降至90‑120mbar，保温1.5‑2.5小时；重复b.所述的升温、降温步骤若干次，经循环加热实现SiC颗粒的长大；‑合成结束，通入氩气使炉腔压力升至900‑1100mbar，缓慢降至室温，得大颗粒SiC粉料。
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