[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910427639.0 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110021556B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡凯;詹侃;宋锐;李远;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件的形成方法包括如下步骤：提供一介质层，所述介质层中具有沿垂直于所述介质层的方向贯穿所述介质层的通孔；进行至少一次循环步骤，形成填充层于所述通孔内，所述循环步骤包括：形成第一金属层于所述通孔内壁，所述第一金属层由具有第一尺寸的晶粒构成；形成第二金属层于所述第一金属层表面，所述第二金属层由具有第二尺寸的所述晶粒构成，且所述第一尺寸小于所述第二尺寸，并以所述第二金属层的表面作为进行下一次循环步骤的通孔内壁。本发明在确保填充层填孔性能的同时，减少了所述填充层中的缺陷，有效改善了所述半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一介质层，所述介质层中具有沿垂直于所述介质层的方向贯穿所述介质层的通孔；进行至少一次循环步骤，形成填充层于所述通孔内，所述循环步骤包括：形成第一金属层于所述通孔内壁，所述第一金属层由具有第一尺寸的晶粒构成；形成第二金属层于所述第一金属层表面，所述第二金属层由具有第二尺寸的所述晶粒构成，且所述第一尺寸小于所述第二尺寸，并以所述第二金属层的表面作为进行下一次循环步骤的通孔内壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
