[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201910422490.7 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110783405A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王菘豊;卡迪尔巴德·姆鲁尼尔;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件包含第一半导体鳍片、第一磊晶层、第一合金层以及接触栓塞。第一半导体鳍片位于基材上。第一磊晶层位于第一半导体鳍片上。第一合金层位于第一磊晶层上方。第一合金层的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且第一合金层包含第一侧壁及第二侧壁，第二侧壁自第一侧壁的底部沿着不平行于第一侧壁的方向向下延伸。接触栓塞接触于第一合金层的第一侧壁以及第二侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 合金层 第一侧壁 半导体鳍片 第二侧壁 磊晶层 接触栓塞 半导体元件 金属元素 向下延伸 不平行 基材 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n一第一半导体鳍片，位于一基材上；/n一第一磊晶层，位于该第一半导体鳍片上；/n一第一合金覆盖结构，位于该第一磊晶层上方，其中该第一合金覆盖结构的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且该第一合金覆盖结构包含一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁自该第一侧壁的一底部沿着不平行于该第一侧壁的一方向向下延伸；以及/n一接触栓塞，接触于该第一合金覆盖结构的该第一侧壁以及该第二侧壁接触栓塞。/n
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